4Sep
Однокристальная микросхема флэш-памяти NAND высочайшей емкости расширяет лидерство в технологии «три бита на ячейку»
Документ с описанием достижений будет представлен на технической конференции
МИЛПИТАС, Калифорния, февраль. 22, 2012 г. – SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK), мировой лидер в области решений для хранения данных на флэш-памяти, сегодня объявила о разработке самой маленькой в мире микросхемы флэш-памяти NAND емкостью 128 гигабит (Гб)*, которая в настоящее время находится в производстве. производство. Полупроводниковое устройство может хранить 128 миллиардов отдельных битов информации на одном кремниевом кристалле. Площадь 170 мм2 — чуть больше четверти квадратного дюйма или меньше площади, занимаемой американским автомобилем. пенни.
Использование флэш-памяти NAND в высокотехнологичном оборудовании, таком как смартфоны, планшеты и твердотельные накопители. (SSD) позволяет усовершенствовать полнофункциональные устройства малого форм-фактора, которые высоко ценятся потребители. Уменьшение размера флэш-памяти NAND позволяет создавать меньшие по размеру и более мощные вычислительные, коммуникационные и бытовые электронные устройства, сохраняя при этом низкие затраты.
SanDisk создала чип флэш-памяти NAND емкостью 128 ГБ по передовому технологическому процессу компании 19 нанометров (нм). Нанометр измеряется одной миллиардной доли метра, а это означает, что 19-нанометровые линии настолько малы, что около 3000 из них могут поместиться на ширину человеческого волоса. В чипе также используется технология SanDisk «три бита на ячейку» (X3), которая позволяет компании создавать Продукты флэш-памяти NAND с возможностью чтения и записи трех битов информации в каждую память. клетка.
SanDisk внедряет девятое поколение продуктов NAND с многоуровневыми ячейками (MLC) и пятое поколение технологии X3. Такое сочетание производственного и технического опыта помогает SanDisk упаковывать больше информации в каждую ячейку памяти, что позволяет создать меньший по размеру и более плотный чип флэш-памяти NAND.
«Создание чипа флэш-памяти NAND емкостью 128 ГБ такого уровня сложности — невероятное достижение», — сказал Мехрдад Мофиди, вице-президент подразделения Memory Design. «Эта инновация позволяет SanDisk продолжать оставаться лидером, помогая нашим клиентам создавать меньшие по размеру и более мощные продукты, способные делать больше с меньшими затратами».
Помимо уменьшенного размера, полупроводниковое устройство емкостью 128 Гбит имеет лучшую в отрасли скорость записи X3 — 18 мегабайт (МБ)** в секунду. Этот уровень производительности достигается с помощью запатентованной усовершенствованной полностью битовой архитектуры SanDisk (ABL). и означает, что технология X3 может быть распространена на определенные категории продуктов, использующих флэш-память MLC NAND. Память. Технический документ, описывающий этот прорыв, будет представлен сегодня на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) в Сан-Франциско.
Чип флэш-памяти NAND емкостью 128 ГБ был разработан совместно командами SanDisk и Toshiba в кампусе SanDisk в Милпитасе. Работу возглавил Ян Ли, директор по дизайну памяти SanDisk. Продукты, основанные на трехбитной технологии 128 Гбит на ячейку, начали поставляться в конце прошлого года и уже начали масштабное производство. SanDisk также разработала производный продукт, основанный на успехе чипа емкостью 128 ГБ — чип флэш-памяти X3 NAND емкостью 64 ГБ, совместимый со стандартным форматом microSD™. Компания также начала наращивать производство этой дополнительной технологии чипов.
Флэш-память NAND — это технология, лежащая в основе высоконадежных решений хранения данных малого форм-фактора, которые SanDisk продает OEM-клиентам для использования в самых разных продуктах, таких как смартфоны, планшеты и другие устройства. Ультрабуки. Эта технология также используется в продуктах, которые SanDisk продает через свой розничный канал в виде карт обработки изображений и мобильных карт, USB-накопителей и mp3-плееров.